Resonac Revoluciona: Substrato SiC 300mm Multiplica Chips
O desenvolvimento pioneiro de um substrato de carbeto de silício (SiC) de 300 mm pela Resonac, empresa japonesa líder em materiais semicondutores, marca um ponto de virada na fabricação de circuitos integrados. Esta inovação tecnológica possui a capacidade de aumentar drasticamente a produção de chips, podendo quadruplicar o número de componentes fabricados em comparação com […]
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